Пропустить переходы по меню

Полупроводники

Современная электроника использует широкий спектр полупроводниковых материалов. Самые современные устройства, такие как транзисторы, солнечные батареи и светоизлучающие диоды, довели до предела использование свойств материалов, и требуют чрезвычайно однородных исходных материалов. Рамановская спектроскопия является идеальным инструментом для изучения полупроводников.

Определение характеристик полупроводников

Можно использовать спектроскопию комбинационного рассеяния для определения характеристик и создания изображений всех полупроводников (например, кремниевых, на основе углерода, III-V, и полимеров) и сверхпроводников. Можно выявить широкий спектр информации, в том числе:

  • химический состав (например, фракции сплава сложных полупроводников)
  • политипы (например, 4H-SiC и 6H-SicC)
  • предельное напряжение
  • концентрации примесей
  • толщина тонкой пленки
  • тип и ориентация кристаллической структуры
  • качество кристалла
  • однородность и чистоту
  • температуру устройства

Простой анализ

Анализ методом комбинационного рассеяния прост потому, что он не требует никакой подготовки образца. Он не требует вакуумной технологии, а также не подвержен влиянию зарядов, как электронная микроскопия.

Renishaw может настроить рамановскую систему для всех пользователей, от ученых-исследователей до техников.

Анализ больших зон
С помощью рамановских систем Renishaw можно проанализировать очень большие образцы. Например, можно создавать образы целых вейферов для обнаружения загрязняющих веществ или остаточных напряжений.

Получение характеристик с помощью ФЛ
Рамановские системы Renishaw также позволяют собирать и анализировать спектры фотолюминесценции (ФЛ). Используя один прибор, можно собрать как колебательную, так и электронную информацию.

Онлайн системы
Дополнительно установите рамановские системы Renishaw в производственную линию для проведения оперативного анализа в целях контроля качества. Диагностирование проблемы на ранней стадии позволяет уменьшить количество отходов и повысить производительность.

Надежные результаты
Рамановские системы Renishaw генерируют данные с высокой повторяемостью, которые точно описывают образец. Встроенная автоматическая калибровка и проверка технического состояния гарантируют точность сравнения данных, независимо от того, когда они были собраны.

Взгляните на трехмерную рамановскую спектроскопию пластины карбида кремния

Подробнее

Загрузить описание приложения

  • Application note:  Photocurrent measurements on the inVia™ confocal Raman microscope Application note: Photocurrent measurements on the inVia™ confocal Raman microscope [en]

    When light interacts with semiconducting materials it can induce electrical currents (‘photocurrents’). These currents carry information about the electronic, optical, and charge transport properties of the material. This information is complementary to that obtainable from Raman scattering, which can identify physical changes in the material properties. This application note demonstrates the capability to simultaneously collect Raman and photocurrent data using the photocurrent mapping module concurrently with an inVia Raman microscope.

  • Application note:  Analyse compound semiconductors with the inVia™ Raman microscope Application note: Analyse compound semiconductors with the inVia™ Raman microscope [en]

    Over the last decade compound semiconductors have attracted a great deal of attention because they offer properties suitable for next generation devices in a wide range of application areas. Historically, the fabrication of these devices has been hindered by material challenges. While these have mainly been conquered at the research level, problems still persist when scaling up to industrial production. Renishaw’s inVia Raman microscope is a non-invasive, non-destructive characterisation tool which provides sub-micrometre information on the vibrational, crystal and electronic structure of materials.

  • Application note:  Analyse silicon carbide (SiC) with the inVia Raman microscope Application note: Analyse silicon carbide (SiC) with the inVia Raman microscope [en]

    The properties of silicon carbide are highly dependent on its crystal structure (it can exist in many polytypes), on the quality of the crystal, and on the number and types of defects present. Manufacturers of silicon carbide raw material and devices need to monitor and control these attributes to enhance yield. The first step in controlling these parameters is to measure them repeatably and quantifiably. Renishaw’s Raman systems are ideal for this.

Мы рядом, когда это необходимо

Чтобы узнать больше об этой сфере использования или о другой сфере, которая не представлена здесь, свяжитесь с нашей группой прикладных задач.

Последние новости о полупроводниках

Калифорнийский технологический институт работает над решением энергетических проблем мира с помощью микроскопа inVia

Калифорнийский технологический институт (Caltech) ищет новые и эффективные способы производства солнечного топлива с использованием лишь солнечного света, воды и углекислого газа. Основным предметом данного исследования является фотокатализ и захват света.

Микроскоп inVia Renishaw получает награду CS Industry Award в 2016 году

Глобальная компания инженерных технологий Renishaw рада объявить о том, что ей присуждена награда CS Industry Award в 2016 году в категории метрология за рамановский микроскоп inVia. Награда CS Industry Awards была учреждена журналом Compound Semiconductor, голосование проходило через веб-сайт www.compoundsemiconductor.net .Совместно они обеспечивают полный охват сложной полупроводниковой промышленности.